做E光祛痘的恢复时间是7-15天，普通光能(激光/强光)在治疗过程中，基于光的选择性吸收原理，光能在穿透表皮时，会被表皮色素大量吸收，高能量或者深色皮肤治疗时风险较大。另外由于大部分光能被反射和折射，真正到达并被靶组织充分吸收的能量仅占30～40%，所以，为了达到治疗目的，就需要提高能量。但表皮色素对光能的大量吸收，限制了在治疗时能量选择不应过大，从而影响了单次治疗的效果。由于E光在治疗过程中，光能主要用于调整靶组织的阻抗值，引导RF(射频)能量集中作用于靶组织。光能不是主要治疗能量，从而避免了主要能量的反射和折射问题。
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做E光祛痘的效果能保持1-10年，基于RF(射频)的特性，RF(射频)在皮肤组织产生的热效应取决于电流密度，电流密度的分布取决于皮肤组织的阻抗分布，组织温度越高阻抗越低，电流密度越大，产生的热效应越高;反之，组织温度越低阻抗越高，电流密度越小，产生的热效应越低。所以靶组织对起主要治疗作用的RF(射频)能量的吸收并不受表皮色素屏障的影响，RF(射频)能量可以充分作用于靶组织，得到良好的治疗效果。穿透深度决定普通光能的穿透深度是波长或波段，波长越长穿透越深，波长越短穿透越浅，最深穿透不超过4mm。
该手术有并发症，如下：
1、出现轻微的热灼感。
2、不同程度的色素沉着。
